柔性电子用聚合物基片上氧化硅纳米层的生长机理

氧化硅(SiOx)薄膜被用作柔性电子器件的保护层,以防止大气中的O2和H2O的渗透而对器件的活性层产生腐蚀作用。在这项工作中,使用现场和实时椭偏光谱法(SE)监测二氧化硅沉积在聚合物基底上的情况。对实时SE测量结果的分析揭示了生长机理的信息,并表明SiOx在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)衬底上遵循岛状生长机制,在聚萘二甲酸乙二醇酯(PET)衬底上遵循逐层生长机制。此外,SE还提供了有关沉积SiOx纳米层和SiOx化学计量学过程中光学响应的演变以及其如何受基底表面影响的信息。此外,在样品表面的不同位置进行连续SE测量,导致了sio2纳米层光学性质的空间分布。最后,利用傅立叶变换红外椭圆偏振光谱法(FTIRSE)对sio2键合结构进行了研究,确定了sio2纳米层的不同振动模式及其与sio2生长机制和衬底(PET和PEN)的关系。(©2008威利-VCH Verlag GmbH&Co.KGaA,温海姆)

文章地址:https://doi.org/10.1002/pssc.200778918

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