基于BSIM3的非晶硅薄膜晶体管的紧凑模型

-提出了一种用工业标准BSIM3紧凑型模型对A-Si:htft进行建模的新方法。所述方法使用最少的BSIM3参数将a-Si:htft漏极电流和终端电荷定义为终端电压的显式函数。根据a-Si:htft的电学和物理特性以及从测量数据中提取的值来选择BSIM3参数集。利用选定的BSIM3模型参数,在SPICE中对a-Si:htft进行了模拟,使模拟的I-V和C-V曲线与测量结果相吻合。最后,通过模拟AMLCD像素阵列中的回退电压效应,验证了所提取的BSIM3模型的有效性。

文章地址:https://doi.org/10.1889/JSID16.11.1147

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