使用半导体纳米材料和超薄电介质的晶体管的缺陷容限和纳米力学

本文描述了印刷在图案化介质层上的单晶硅转移膜和独立纳米带的力学性质的实验和理论研究。结果表明,力学的解析描述与实验数据吻合得很好,并且它们明确地揭示了介质层的几何结构(即浮雕特征的宽度和深度)和硅(即带的厚度和宽度)如何影响机械弯曲(即。,“下垂”)在硅的悬浮区。该系统在将半导体纳米材料用于电子器件中具有重要的实际意义,因为栅极介质中缺陷附近的不完全下垂在这些区域提供了一定程度的抗短路能力,这超过了传统的薄膜沉积技术。场效应晶体管由硅纳米带转移到一系列超薄栅介质上形成,包括图案化环氧树脂、有机自组装单分子膜和HfO2,证明了这些概念。

文章地址:https://doi.org/10.1002/adfm.200800176

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