过渡金属氧化物基电阻变化存储器中写入电流的降低

如图所示,具有Pt/Ti掺杂NiO/Pt结构的新型存储单元结构显示了迄今为止报告的单极开关电阻变化型器件的最低写入电流。当电池尺寸小于100nm×100nm时,写入电流急剧下降。将这种节点元件与选择性开关相结合,可以制作出高密度通用存储器。

文章地址:https://doi.org/10.1002/adma.200702081

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